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Notiziario Marketpress di
Martedì 24 Febbraio 2004
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Web Prodotti e Novità |
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LA MEMORIA FLASH SUPERAND DA 256-MBIT OFFRE UN’ELEVATA VELOCITÁ DI SCRITTURA E FUNZIONI DI GESTIONE DELLA MEMORIA
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Renesas Technology Europe ha annunciato la memoria flash superAnd da 256-Mbit, con velocità di scrittura di circa 4 Mbyte al secondo – tre volte superiore a quella dell’attuale versione di memoria flash da 128-Mbit - ed una maggiore semplicità di utilizzo grazie alle funzioni integrate di gestione della memoria. La nuova memoria flash è disponibile nello stesso package Csp, di piccole dimensioni, utilizzato nell’attuale modello. La nuova memoria flash è ideale nei prodotti consumer, come i telefoni cellulari di prossima generazione, le nuove fotocamere digitali (che supportano anche filmati) ed i dispositivi informatici portatili, come Pda e Pc. La nuova serie utilizza un processo a 0.13-µm e la tecnologia Renesas per le celle di memoria flash Ag-and multi-level ed estremamente veloci. Sono disponibili due modelli a 3.3 V: Hn29v256a0b, con bus a 16 bit, e Hn29v256a1b, con bus a 8 bit. Le due versioni permettono di scegliere quella che meglio si adatta al sistema dell’utente. Le funzioni di gestione della memoria integrata - gestione del bad-sector, wear levelling e correzione degli errori - riducono la complessità del progetto, poichè tali funzioni sono solitamente gestite da parte del sistema. Queste funzioni sono state ottimizzate per l’utilizzo interno a partire dall’esperienza tecnologica raggiunta con lo sviluppo di controllori per flash card come Compactflash e Multimediacards. La funzione di gestione del bad-sector permette alla memoria flash di individuare un difetto e di spostarlo automaticamente in un settore libero nel caso in cui si verifichi un’anomalia in determinati settori durante la riscrittura. Questo permette al chip di operare al 100% durante tutta la durata della sua vita, indipendentemente dal fatto che sia presente un difetto al momento della spedizione del chip o successivamente. La funzione wear levelling permette un utilizzo efficace delle aree di riscrittura della memoria flash - prolungando la durata della stessa - spostando automaticamente i dati e gli indirizzi in un’area in cui sono state effettuate poche riscritture, nel momento in cui le operazioni di riscrittura si ripetono per un determinato numero di volte, prevenendo così ogni concentrazione di operazioni di scrittura. La funzione di correzione degli errori permette al chip di trovare il punto in cui si è verificato l’errore e di correggerlo se i dati letti differiscono da quelli scritti, durante la lettura. Questo garantisce l’affidabilità dei dati e permette di ridurre il carico di lavoro dal lato sistema. I nuovi dispositivi, inoltre, offrono una funzione di auto-lettura da power-on, che permette di leggere i dati quando la macchina è accesa, anche senza input di comando o di indirizzo. La dimensione leggibile è stata estesa dai 2 Kbyte negli attuali modelli da 128-Mbit a 8 Kbyte nella nuova serie. La nuova serie è disponibile in un package Csp da 95-ball, delle dimensioni di 10 mm x 11.5 mm x 1.2 mm, lo stesso utilizzato per l’attuale serie di memoria flash superAnd da 128-Mbit. Questo permette di mantenere un ingombro ridotto del sistema e facilita la sostituzione dei prodotti da 128-Mbit. Le spedizioni dei campioni di Hn29v256a0b e di Hn29v256a1b inizieranno nel mese di marzo 2004, in Europa.
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