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Notiziario Marketpress di
Lunedì 04 Ottobre 2004
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RENESAS PRESENTA LA PIÙ VELOCE MEMORIA FLASH DI TIPO AG-AND DA 4-GIGABIT ATTUALMENTE DISPONIBILE |
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Milano, 4 ottobre 2004 - Renesas Technology Europe ha annunciato le più veloci memorie flash di tipo Ag-and da 4-Gbit attualmente disponibili, che offrono una velocità di programmazione di 10Mbyte al secondo. Questa caratteristica permette di salvare un filmato di due ore in un tempo approssimativo di due minuti grazie all’utilizzo di Mpeg-4. Le celle delle nuove memorie flash sono le più piccole attualmente realizzabili, di soli 0,016 m2, cioè con un ingombro ridotto di approssimativamente due terzi per gigabit rispetto a quella dell’attuale memoria flash di tipo Ag-and da 1-Gbit. La memoria è adatta per la registrazione ad elevata velocità di filmati e tracce audio in terminali portatili ed applicazioni digitali di uso domestico, una caratteristica che precedentemente era limitata alle fotocamere digitali ed ai Pc. Le memorie flash di tipo Ag-and di seconda generazione sono disponibili in configurazioni da x8 e x16 bit, rispettivamente R1fv04g13r e R1fv04g14r. Le nuove memorie utilizzano tecnologia multilivello, un metodo di programmazione ad iniezione di elettroni a caldo e operazioni di programmazione simultanea di 4 banchi, in modo tale da raggiungere una velocità di programmazione di 10 Mbyte al secondo. L’utilizzo di un processo da 90 mm unitamente ad una struttura source-drain per la memoria flash di tipo Ag-and garantisce una cellula di memoria dal minor ingombro possibile rispetto ad ogni altro dispositivo che utilizza un processo da 130 mm attualmente prodotto su larga scala. R1fv04g13r e R1fv04g14r permettono di configurare 512-Mbyte di capacità di registrazione con un unico chip, fornendo una capacità di immagazzinamento approssimativamente pari a 160 minuti di filmati in formato Mpeg-4, 130 tracce di dati audio in formato Mp3, o 500 fotogrammi catturati da fotocamere digitali con una risoluzione di 4-megapixel. Le memorie offrono una funzione di lettura al power-on che permette di leggere fino a 2 Kbyte di dati al momento dell’avvio del sistema, grazie alla controllo di due linee di controllo (/Ce pin e /Re pin) senza bisogno di comando o indirizzo. Inoltre, una volta che il dispositivo è in programmazione, è fornita un’altra funzione per eseguire la programmazione cache dei successivi 2 Kbyte di dati per un massimo di due volte (4 Kbyte). Questa peculiarità rende più semplice per il sistema assegnare le operazioni del bus ad un’altra funzione. I dispositivi sono compatibili con la memoria flash di tipo Nand a livello di comando, permettendo il loro utilizzo nei sistemi che attualmente utilizzano la memoria flash di tipo Nand con minime modifiche del software. La tensione di alimentazion e è di 3,3 V ed il package utilizzato è un Tsop di tipo 1 da 48-pin - le stesse dimensioni del package per la memoria flash di tipo Ag-and da 1-Gbit. Le spedizioni dei campioni delle nuove memorie flash sono iniziate nel mese di settembre 2004, in Giappone, e saranno seguite dalla produzione su larga scala nel mese di dicembre. Un modello di descrizione funzionale ed una libreria di riferimento per il linguaggio C saranno disponibili dal mese di ottobre 2004, come strumenti di supporto per il progetto dei sistemi che utilizzano questi dispositivi.
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