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Notiziario Marketpress di
Lunedì 16 Giugno 2003 |
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I RICERCATORI INTEL FANNO UN ALTRO PASSO AVANTI NEL PASSAGGIO DEGLI EVOLUTI TRANSISTOR TRI-GATE ALLA FASE DI PRODUZIONE
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Assago (Milano),16 giugno 2003 - Nel corso della manifestazione 2003 Symposia of Vlsi Technology and Circuits organizzata a Kyoto, in Giappone, Intel ha rivelato nuovi dettagli sui propri transistor "tri-gate" evoluti, annunciando inoltre di aver iniziato il passaggio dalla fase di ricerca alla fase di sviluppo. Con questo nuovo transistor tridimensionale (3D), l´azienda potrà continuare a confermare la validità della Legge di Moore e a offrire processori dalla prestazioni più elevate e con un consumo ridotto di energia nel futuro. Intel ha inoltre rivelato altre informazioni sulle attività di ricerca per lo sviluppo di dispositivi radio Cmos digitali con la propria tecnologia di processo per la produzione a basso costo e per la progettazione di circuiti a elevate prestazioni e a basso consumo. I transistor veloci sono tra i principali elementi di base dei microprocessori a elevate prestazioni. Dopo l´annuncio iniziale effettuato lo scorso anno, i ricercatori Intel sono riusciti a ridurre le dimensioni del transistor tri-gate (misurate in base alla lunghezza del gate) da 60 a 30 nanometri (nm). I transistor con un gate più piccolo si accendono e spengono più velocemente, aumentando in questo modo le prestazioni dei microprocessori. "Secondo le nostre ricerche più recenti, le caratteristiche eccellenti di scalabilità, prestazioni e facilità di produzione del transistor tri-gate lasciano prevedere che entreremo in produzione addirittura nel 2007, ancora prima della tecnologia di processo a 45 nm", ha affermato Sunlin Chou, Senior Vice President e General Manager del Technology and Manufacturing Group di Intel. "Questi risultati pongono le strutture dei transistor 3D non planari tra le innovazioni più promettenti della nanotecnologia, che useremo per aumentare la scalabilità del silicio e confermare la Legge di Moore nel futuro". Per il transistor tri-gate Intel utilizza una nuova struttura 3D del gate, una specie di piastra sollevata con lati verticali, che consente l´invio dei segnali elettrici lungo la superficie superiore del gate del transistor e lungo entrambe le pareti laterali. In questo modo lo spazio disponibile per il trasferimento dei segnali elettrici risulta di fatto triplicato, ad esempio come se una strada ordinaria a una carreggiata venisse trasformata in un´autostrada a tre corsie, ma senza richiedere una superficie più ampia. Il transistor tri-gate offre quindi prestazioni molto più elevate rispetto agli attuali transistor planari. Il transistor tri-gate di Intel è stato progettato in modo da consentirne la produzione in grandi quantità, un fattore essenziale per il passaggio dalla fase di sviluppo a quella di produzione. Questa nuova struttura risolve inoltre il problema della dispersione di corrente elettrica, più che mai avvertito nel settore a causa delle dimensioni sempre più ridotte dei dispositivi Cmos. Grazie alle caratteristiche uniche di questa struttura, la dispersione del transistor tri-gate è sensibilmente inferiore a quella di un transistor planare delle stesse dimensioni. Intel è già passata dalla fase di ricerca a quella di sviluppo, e sono stati prodotti con successo dei dispositivi sperimentali presso l´impianto di produzione di wafer da 300 mm di Intel situato a Hillsboro, Oregon (Fab D1c). Ricerca Intel nel campo delle radio Cmos Sempre nel corso del Vlsi, Intel ha annunciato i risultati della ricerca effettuata nel campo dei dispositivi radio in silicio, il cui obiettivo è di accelerare la convergenza tra le tecnologie di computing e di comunicazione sviluppando radio con lo stesso processo di produzione Cmos a basso costo utilizzato per i microprocessori e i chipset ad alta resa disponibili in grandi quantità. In futuro, questi componenti radio sono destinati ad essere integrati nei chip Intel, in modo che qualsiasi dispositivo basato su uno di questi chip sia dotato di funzionalità per le comunicazioni wireless. I ricercatori Intel hanno rivelato di essere riusciti a sviluppare un oscillatore di qualità elevata operante a 5 Ghz (le stesse frequenze dello standard 802.11a) con il processo Cmos dell´azienda. Questo stesso segnale a 5 Ghz può essere utilizzato anche per generare segnali per la banda a 2,4 Ghz (la frequenza degli standard 802.11b e g). L´oscillatore può essere paragonato a un pacemaker per la radio, che determina la frequenza della trasmissione e della ricezione dei segnali. Inoltre, Intel ha sviluppato un sintetizzatore operante a 10 Ghz che consentirà la commutazione tra i canali delle radio a velocità sensibilmente più elevate rispetto a quelle delle attuali soluzioni. La possibilità di passare rapidamente da un canale all´altro per la ricezione consentirà di individuare e utilizzare lo spettro ottimale per la radio in un dato ambiente. Tutto questo potrebbe portare ad una maggiore disponibilità di larghezza di banda, ad una copertura più estesa e ad un´affidabilità superiore per le connessioni wireless. Questi importanti componenti radio vengono in genere sviluppati utilizzando esclusivamente la tecnologia di processo analogica. Intel ha invece utilizzato il processo Cmos digitale a 0,18 micron per lo sviluppo dell´oscillatore e del sintetizzatore. Realizzando questi componenti radio analogici con un processo di produzione digitale, Intel aspira a ridurre i costi associati all´aggiunta di funzionalità wireless nei prodotti futuri. Circuiti a elevate prestazioni e a basso consumo di energia Intel ha anche presentato della documentazione aggiuntiva sulla progettazione di circuiti a elevate prestazioni e a basso consumo. Con le dimensioni sempre più ridotte dei transistor si presentano problemi significativi come la dispersione di corrente elettrica, la dissipazione del calore e la variazione dei transistor. I ricercatori Intel sono impegnati nello sviluppo di tecnologie di controllo e limitazione che riducano gli effetti di questi problemi, oltre a cercare di migliorare l´efficienza computazionale e offrire processori dalle prestazioni più elevate che consumino meno energia e producano meno calore. L´obiettivo finale è di continuare a seguire la Legge di Moore preparando allo stesso tempo il terreno per un computing più efficiente ai fini del risparmio energetico. |
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