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Notiziario Marketpress di
Mercoledì 24 Settembre 2003 |
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LA “SUPERSRAM” DI RENESAS, A 16-MBIT, OFFRE IL PIÙ PICCOLO CHIP AL MONDO, ATTRAVERSO LA NUOVA TECNOLOGIA PER CELLE DI MEMORIA
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Milano, 24 settembre 2003 – Renesas Technology Corp. Ha annunciato “superSram”, una nuova gamma di prodotti Sram di 16-Mbit low power, che offre il più piccolo chip al mondo, delle dimensioni di circa 32mm2. Questo risultato è stato raggiunto grazie alla nuova tecnologia per le celle di memoria, che combina una cella Sram, che utilizza un Tft, con una cella Dram che utilizza un condensatore dalle dimensioni estremamente ridotte. La fase iniziale della gamma comprende le serie R1la1616r di 16-Mbit (versione da 1,8V) e R1lv1616r (versione da 3V). I nuovi prodotti sono ideali per l’utilizzo in dispositivi portatili, quali telefoni cellulari, ed applicazioni industriali, come i terminali Pos. “Supersram” è una nuova tecnologia per celle di memoria in attesa di brevetto e rappresenta un cambiamento radicale rispetto all’attuale tecnologia per celle di memoria Sram. Supersram utilizza un processo di 0,15mm ed ha le dimensioni ridotte di circa la metà rispetto alla Sram Cmos di Renesas Technology, che utilizza una struttura convenzionale di 6 transistor (quando impiega lo stesso processo). Questa nuova tecnologia permetterà alle applicazioni di dimensioni ridotte e dotate di sempre maggiore capacità di memoria, di essere sempre più compatte. I nuovi dispositivi offrono, inoltre, ampia capacità di memoria, basso consumo. Il nuovo tipo di cella di memoria combina una cella Sram - dotata di un thin film transistor (Tft) P-channel come transistor di caricamento - con un Mosfet N-channel come transistor del driver, con una cella di Dram che impiega un condensatore dalle dimensioni estremamente ridotte al nodo di storage. Questo condensatore riduce al minimo l’ingombro del transistor del driver, in modo da rendere piccola l’ area della cella di memoria. Diversamente dalla Pseudo Static Ram (Psram), che impiega celle di memoria Dram e viene utilizzata in applicazioni che richiedono una notevole capacità di memoria, la superSram non richiede alcun refresh. Come con la Sram convenzionale, le informazioni immagazzinate in una cella di memoria vengono salvate automaticamente dai transistor di caricamento e di driver. L’utilizzo delle celle Sram, che impiegano la capacità del Tft di Renesas Technology, fornisce la caratteristica del basso consumo essenziale per dispositivi portatili a batteria, con un attuale consumo di retention di 1 mA a 25°C. L’utilizzo di condensatori dalle dimensioni estremamente ridotte - a lungo impiegati nelle celle Dram - nei nodi di storage della cella di memoria, fornisce una struttura estremamente resistente in caso di errori lievi causati da raggi alfa o fasci di neutroni, rendendo la Sram estremamente affidabile. I dati immagazzinati nei condensatori permettono di ridurre il margine di errore approssimativamente entro due ordini di importanza in confronto alla Sram Cmos di Renesas Technology. Sono disponibili due versioni della superSram: la serie R1la1616r da 1.8V (da 1.65V a 2.3V) e la serie R1lv1616r da 3V (da 2.7V a 3.6V). Entrambe sono racchiuse in due differenti package: Tsop da 53-pin (10,79 mm x 10.49 mm) con un pin pitch di 0,40 mm, e Bga fine-pitch da 48-ball (7,5 mm x 8,5 mm) con un ball pitch di 0,75 mm. Questi prodotti saranno anche disponibili nel form Mcp di Renesas Technology, insieme ad altri dispositivi per la memoria, come le flash. Campioni dei nuovi prodotti saranno disponibili a partire da novembre 2003. Infolink: www.Renesas.com |
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